Транзистор J113, N-канал 30В 50мА 350мВт

Технические параметры

• Структура n-канал
• Напряжение пробоя (V(br)gss), В 35
• Ток утечки (Idss), мА 2(min)
• при Vds, В (Vgs=0) 15
• Напряжение отсечки (Vgs off), В 0.5…3
• при Id, нА 1000
• Сопротивление канала (RDS(On)), Ом 100(max)
• Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 0.625
• Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
• Корпус to-92
• Вес, г 0.3

Документация